数年前，铁幕横亘在东、西方之间。现在，硅幕（Silicon Curtain）正在落下。

国产半导体工业可以说已到了危及存亡之刻，该如何突围？一位从业20年的半导体老兵讲出了他说看见的行业实情及思考。

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美国全力围剿中国光刻机

2023年1月28日，诸多企业开工大吉的喜悦被搅黄了。美国、荷兰与日本在经过数月的谈判后，最终就共同限制向中国出口半导体设备达成共识，它们将联手阻止中国获取发展先进芯片、量子计算、人工智能等所需的技术。

在继续禁绝向中国企业出售EUV光刻机的基础上，新的联盟扩大了管制范围。媒体援引消息人士的话称，中国发展先进半导体所需的技术和设备，都会被加入到禁售清单中，其中就包括DUV浸润式光刻机。

荷兰阿斯麦（ASML）、日本尼康（Nikon）和东京威力科创（TEL）等半导体设备巨头的对华出口，将被迫执行新的标准。

自2022年10月发布《针对先进计算和半导体制造的管制措施》后，美国就积极地游说日本、欧洲等盟友，联手从设备、技术、人才等环节，对中国进行全面封堵。新联盟形成后，美国的管制措施有可能会变成整个联盟的法则。

按照三方会谈透露出来的内容，日本、荷兰各自在国内完成立法后，新的协议才会生效，这可能需要几个月的时间。欧盟官员对这次的谈判结果给予了支持。中国专家言之凿凿三国不会结盟的说法，还可以成立一段时间。

鉴于此事可能产生的后果，即便协议生效后，各方也不会公布管制措施的内容，其重心将落在具体的执行层面。日本政府有官员预言，这样的合作百分之百会遭到报复，在当地经营的日本企业会因此遭受冲击。

中国半导体供应的现实击穿了曾经的虚幻，这让中国智能汽车的发展面临新的选择。在智能化的道路上，自动驾驶的前景会变得越来越暗淡。众多的中国自动驾驶企业及其整车制造商，即便有能力设计出高端芯片，他们却绕不开制造环节的短板。中国大陆的代工厂不具备台积电的能力，无法制造出先进制程的芯片。能为这些企业代工的台积电、三星等受制于美国的管制措施，会变得更谨慎。壁仞科技的遭遇，是事情的一个侧面。

随着时间的推移，英伟达A100等算力芯片的停供已经进入倒计时。虽然英伟达推出了A800作为替代品，但无法满足自动驾驶进阶的需求。进入到L4级自动驾驶后，中国市场的算力芯片需求与供应会出现明显的脱节。中国本土的算力芯片制造商，在美国的管制措施解除之前，可以施展的空间已经非常有限。对于中国自动驾驶而言，L2及L2+级已经是最现实的市场了。

中国自动驾驶所面临的局面，只是各方围剿中国半导体的一个小缩影。数年前，铁幕横亘在东、西方之间。现在，硅幕（Silicon Curtain）正在落下。

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我国光刻机发展的怎么样了？

光刻机一直是半导体工业皇冠上的明珠，如今成为美国围剿中国半导体产业的杀手锏。

在此之前，一位20年半导体老兵就就很惊醒地指出，荷兰与米国这场光刻机的谈判，将是国内芯片行业生与死的分水岭。可能大家都没意识到这次谈判的严重性。

以美bis新规定来看，涉及finfet也就是16nm以下工艺的全部禁止对中销售，工艺能达到7nm的浸没式duv肯定是不能卖给中，所以asml自己的预估浸沒式duv的高低标的销量区别不大，这也肯定不是美荷谈判重点。

这次美荷谈判的重点就是193nm ArF dry 光刻机，如果这类型设备也不能卖，对asml来说那差距将达到一百台，40亿美金左右的销售额。

能卖给中，2025年该设备能卖290台，如果被限制那就是低标只能卖给非中客户190台，这就是这一次美荷谈判的重点。我们要知道这类型光刻机对应的工艺是65～110nm。

美国想游说盟友，禁止中国110nm以下的所有工艺，而荷兰则希望从45nm开始限制即可，而这对国內芯片产业的影响也是至关重要的，28～110几乎是国內芯片制造需求最大的一个工艺范围。如果荷兰同意断供干式duv那对国內芯片行业来说将是毁灭性的打击。

当然荷兰如果被米国拿下，日本的nikon势必也是比照办理，而这只能静待结果了。

1月29日消息，昨日外媒报道称，美国拜登政府在当地时间本周五于华盛顿结束的谈判中，已经成功与荷兰和日本达成协议，将限制对华出口先进的芯片制造设备，其中就包括ASML Holding NV、Nikon Corp.和Tokyo Electron Ltd.等厂商的产品。

如果荷兰与日本最终同意断供193nm  ArF干式duv光刻机，那我们该怎么办，国产光刻机现在到底如何了？

10月7号，米国BIS的制裁新规下来以后，行业至今鸡飞狗跳，全面乱套，不过这也是一面照妖镜，退潮时就能知道谁在裸泳。这几年资本市场大炒特炒的国内半导体设备商们，检验你们真章的时刻到了。

在半导体老兵看来，国产光刻机的现状如同被一块遮羞布罩着，真实情况触目惊心。

目前国产光刻机的相关讯息都是对米国单向透明的。我们国产光刻机里面的零配件大部分都得进口，这些零配件同样以美日为主。

几年前smee那台号称90nm的ssx600通过02专项验收合格，然后这一大帮人欢欣鼓舞媒体大书特书，紧接着这群人立马订定下一个更先进的目标，甚至一次跨越两代，直接攻关193nmArF准分子激光浸润式光刻机，02专项风风火火大跃进攻关，形势一片大好。

然而事实是那台ssx600，也就是248nmKrF光刻机（工艺是在0.13um以上）风风火火的把所有utility接上，除了认证那会开机跑了起来，至始至终躺在那。

这通过验收的所谓光刻机根本无法在量产线上跑，也从来没有跑过！而你们现在正大跃进式的想攻克下两代193nm  ArFi 也就是媒体所谓的28nm光刻机，这不是天大的笑话吗？130nm都没正儿八经的跑过产线，130nm你都做不明白，竟然妄想去搞28nm？其实193nm ArFi搞出来是能做到7nm的。

一个令人痛心的现象是，半导体设备设备真正在生产线跑，是全世界无数顶尖工程师，数十年不断优化来的，而我们一台设备验收了，就再也没人管。

除了光刻机外，etch蚀刻设备、沉积与光刻并列门槛最高、金额最高、难度最大的的三个种类，一般来说蚀刻设备都是fab投资最大的，工艺在5nm以下的fab，因为都是使用euv，光刻才超越了蚀刻。

而且蚀刻在memory占有越来越重要的角色，尤其是在nand，越高层数就需要宽深比越高的蚀刻技术，这完全得仰赖设备厂家。目前做到最好的是lam能在100:1以上，amat也有同性能产品，国内的中微号称今年能有40:：1的高宽深比的设备，但这设备，可以肯定出来是能出来，但没法用。

某厂etch设备 list

从上图我们可以看出，dry etch 分为icp、ccp，这两小类，每类又分了十多种设备，咱们可以从图中看到中微在某fab的ccp拿下了1/3，但在icp则全军覆没。

ccp只是刻掩膜跟metal，与icp那些刻在si上的完全是两码事，也就是说即便中微什么成功打入台积电7nm的fab也只是做最简单的那一部分。

而我们从图中可以看出，dry etch门槛最高的各种icp，中微一台也没有，几乎被lam给垄断，amat跟tel这世界etch的老二跟老三也只有稀稀拉拉几台，而中微连他的强项ccp也只是占1/3，而且还都是ccp里面最容易的那部分。

半导体老兵以此推算中微打通drt etch全部环节，能生产出合格良率的28nm芯片，最快最快是6年。

试问2030年全世界都生产14nm了，我们还在生产28nm，要这玩意有多大作用？真实的情况跟大家想的或者主管行业那帮人说的根本不一样。

3

中国半导体产业该怎么办？

现在如此危机之时，中国半导体行业不能再这样下去，首先必须要把问题全部掀开来，尽管满目疮痍，疮疤都没怕疼而没勇气去揭，那如何治疗？

从14年大基金成立以来，我们一直高喊的国产，取代外企，解决卡脖子问题，快十年了，真正解决的卡脖子问题有几个？行业里整天好消息满天飞，飞了快十年了，市场一片期待，所有人信心满满，连小将们都高喊你米国越制裁越好，我们只会更快造出来，我们不需要任何协助，自己的全国产设备很快就能横空出世。

而今这些设备在哪呢？真实的情况是，此时此刻，我们芯片生产线的国产化率只有可怜的15%左右，今时今日。

想在五六年完全补齐剩下的85%，从任何角度来看都是不切实际，违反科学及常识的。

现在我们的芯片产业已经退无可退，当务之急，就是在量产的fab里，所有设备back  to back的调适，真正调适出一条完整实实在在的《量产线》，不是以前那种实验线，更不是一堆设备商各自为政，上下道工艺根本接不上，各说各话的吹牛皮。

对于目前到中国半导体行业，半导体老兵以为，之前的积极进取有作用，但韬光养晦亦有大用，任何事并不是只有进攻，啥时候进攻啥时候防守，攻防有序才是正道。